西部数据本周对其未来几年的BiCS 3D NAND路线图进行了展望。正如预期的那样，该公司及其合作伙伴Kioxia将继续推出新一代的BiCS存储器，以增加每台设备的容量并降低每比特的成本。

此外，该公司正在开发BiCS+ 3D NAND，与普通BiCS存储器相比，它将大幅提高性能和密度，以实现具有极端性能的超高容量SSD。

162层的BiCS6即将问世

该公司的下一步是推出其第六代BiCS存储器，该存储器将具有162个活性层，并将实现1 Tb QLC 3D NAND存储器设备，芯片尺寸为68 mm^2。新一代西数的3D NAND还将具有更快的I/O接口和60MB/s的程序速度，这将大大提高下一代SSD的性能，特别是那些带有PCIe 5.0接口的主流驱动器。

虽然162层可能看起来不像其他制造商吹嘘的176层那样令人印象深刻，但与竞争对手的芯片尺寸相比，西部数据的芯片尺寸将更小，因为该公司将通过使用一种新材料缩小内存单元的尺寸。因此，该公司希望其BiCS6 1Tb 3D QLC IC的生产将更容易和更便宜，这将使其能够制造更便宜的存储设备，在性能和价格上与最好的SSD竞争。

QLC和TLC配置的BiCS6 3D NAND存储器的大规模生产将于2022年底开始(WDC 2023财年第二季度)。BiCS6 3D NAND芯片将被用于广泛的应用，从廉价的USB驱动器开始，一直扩展到高价的大容量SSD。

200层以上的BiCS+即将问世

同时，专门针对需要高容量和高性能的数据中心工作负载，西部数据打算推出BiCS+内存，它是为数据中心设计的。

该公司声称，与BiCS6相比，BiCS+将提供每片晶圆55%的位数增长，这要归功于200+层，传输速度高达60%(即，将使用更快的接口和/或8/16平面架构以实现更高的并行性)，以及15%的程序带宽(即，更高的写入速度)。目前，BICS+被设定为有时会在2024年到达。

西部数据技术和战略总裁Siva Sivaram说："这是为数据中心工作负载设计的，你可以看到[......]当我们从BiCS6到这个节点时，每个晶圆的比特增长率为55%，I/O速度增加了60%，而我刚才谈到的程序带宽，我们保持着60MB/s的世界纪录，在这个单元上我们将进一步推高15%"。西部数据技术和战略总裁Siva Sivaram说："等到这款产品开发完成并投入使用时，这将是NAND性能的一个飞跃。"

虽然西部数据没有概述其确切的BiCS+计划，但我们预计这种新型内存将使该公司能够在不使用棘手的包装或非常复杂的控制器的情况下，以标准的外形尺寸生产高容量的数据中心固态硬盘。还应该注意的是，BiCS+确实是专门针对数据中心驱动器的，因为对于普通的SSD，该公司打算提供200层以上的内存，目前被称为BiCS-Y。

谈到数据中心SSD，有趣的是，与合作伙伴Kioxia不同，西部数据不再谈论基于3D NAND的存储级内存(SCM)，与英特尔的Optane和Kioxia的XL NAND竞争。该公司曾在2019年提到其用于SCM应用的低延迟闪存(LLF)NAND存储器，但从那时起，它没有提供任何更新。

理论上，高密度3D NAND可以在单层单元(SLC)模式下使用，以解决需要高性能、低延迟、高可靠性和巨大数据保留的应用。同时，我们不确定为BiCS+组件设计的介质是否可以在这种模式下用于上述的应用。

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