三星宣布成功开发出界首个12层3D-TSV(直通硅通孔)技术。这是业界首个将3D TSV封装推进到12层的工艺,而此前最大仅为8层。

  3D-TSV最多用在HBM显存上,这种技术通过芯片内部的打孔填充金属导电材料实现多层芯片互联,其速度更快,密度更高。三星此次公布的12层DRAM封装工艺需要在720微米厚的芯片上打超过60000个TSV孔,这些孔的尺寸仅为人头发丝的二十分之一。

  

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  相比于8层HBM2,其芯片厚度相同,但是能够增加DRAM容量。厂商也无需调整系统配置。三星相关负责人表示,随着AI、高性能计算等领域的高速发展,确保超高性能存储器所有复杂性的封装技术正在变得越来越重要。而伴随着摩尔定律达到极限,3D-TSV所扮演的角色将越来越关键。我们希望站在这一最新芯片封装技术的最前沿。

  

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