根据数码博主i冰宇宙的爆料,UFS 3.0闪存的AndroBench跑分现已曝光,顺序读取速度达到了2279.9MB/s,顺序写入速度达到了1801.1MB/s,达到了目前优质NVMe固态的速度。

  

 

  据i冰宇宙所说,这是一块1TB版本的UFS 3.0闪存,读取速度达到了2279.9MB/s,顺序写入速度达到了1801.1MB/s,随机读取146.4MB/s,随机写入137.5MB/s。

  据悉,2017年JEDEC固态技术协会推出了新的UFS3.0标准,相较上代的UFS2.1不仅带宽更高,电压也相较UFS 2.1更低,可降低设备功耗与发热。UFS 3.0标准单通道上可达到11.6 Gbps,是UFS 2.1标准的两倍,而双通道设计可以最高达到23.2 Gbps的传输带宽,UFS 3.0的工作电压为2.5V,相较上一代2.7V到3.6V更低。

  在去年举办的4G/5G峰会上,三星透露将在2019年上半年推出UFS 3.0商用产品,2020年将商用LPDDR5内存。