随着闪存市场价格逐渐稳定下来,人们的期待也开始从“不涨”慢慢往“降价”上转移;而想要价格降下来,那就一定要依靠技术和生产工艺的提升。三星日前已开始量产它们的第五代3D NAND闪存颗粒,层叠层数从64层加厚至96层,进一步提升存储密度的同时而不影响耐久和可靠性,更重要的是产能也能得到30%的提升。

  

 

  三星的第五代V-NAND技术在性能方面其实也有不小的改进,它采用的Toggle DDR 4.0接口运行速率已经从上一代3D NAND的800Mbps提升到了1.4Gbps,同时工作电压也从1.8V降低至1.2V,可以抵消掉接口提速带来的能耗上升。此外读写延迟也有所下降,其读取延迟已压缩到50微秒,写入延迟降低30%达到500微秒。

  关于这一代3D NAND的制程技术改进细节三星并没有透露多少,目前可知的是每个存储层的厚度已经削薄了20%,以及文首处提及的30%产能提升。三星首批第五代3D NAND颗粒为256Gb TLC,是消费市场和手机存储里常见的规格,对它来说优先考虑需求量大的市场是必然的选择,至于供应服务器和数据中心SSD的1Tb QLC NAND之后再说。

  

 

  对我们这群普通消费者来讲,期待这批新颗粒应该就是三星下一代SSD产品的事情了。